今天分享的是：2025年第三代半导体SiC GaN产业链研究报告-深企投
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本报告聚焦2025年第三代半导体SiC/GaN产业链，深入剖析行业发展现状与趋势。第三代半导体以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表，凭借宽禁带、高击穿电场等物理特性，在新能源汽车、光伏、5G通信等高温、高频、大功率场景中优势显著，与第一、二代半导体形成互补，且异质集成成为未来技术趋势。
碳化硅方面，其功率器件在新能源汽车主驱逆变器、光伏储能、充电桩等领域应用广泛，汽车应用占比超75%。产业链涵盖衬底、外延、器件制造等环节，衬底和外延成本占器件总成本约70%，是技术核心。全球市场虽由意法半导体等外资巨头主导，但国内比亚迪半导体、天科合达等企业通过IDM模式加速渗透，2024年国产厂商在新能源乘用车碳化硅功率模块装机量中占比近半。衬底市场中，8英寸产品因成本优势成为高端市场刚需，国内天岳先进、天科合达等已实现量产，且国内产能占全球70%，价格优势明显。
氮化镓器件分增强型和耗尽型，硅基氮化镓是主流技术路线，在消费电子快充、5G基站射频等领域应用成熟，未来在电动汽车OBC、数据中心电源等场景潜力大。2023年全球氮化镓功率器件市场规模2.6亿美元，预计2029年达20.1亿美元，年复合增速41%，英诺赛科、纳微半导体等企业占据主要市场份额，国内企业在射频和功率领域积极布局。
展开剩余76%设备方面，碳化硅单晶炉、外延炉等设备国产化率提升，但刻蚀、离子注入等核心设备仍依赖进口；氮化镓MOCVD设备主要由国外厂商主导，国内中微半导体、北方华创等企业在部分领域实现突破。整体来看，第三代半导体产业链各环节技术不断进步，国产化进程加速，市场规模持续扩大，在多个新兴领域的应用前景广阔。
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